Gelişmiş Arama

Basit öğe kaydını göster

dc.contributor.authorSavaş, Müzeyyen
dc.date.accessioned2022-12-14T12:38:31Z
dc.date.available2022-12-14T12:38:31Z
dc.date.issued2022en_US
dc.date.submitted2022-08
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12573/1420
dc.description.abstractFabrication of optoelectronic devices relies on expensive, energy-consuming conventional tools including chemical vapor deposition, lithography, and metal evaporation. Developing an alternative technology would contribute to the efforts on achieving a sustainable optoelectronics technology. Keeping this in our focus, here we present a simple technique to fabricate visible photodetectors. These fully solutionprocessed and transparent metal-semiconductor-metal photodetectors employ silver nanowires (Ag NW) as the transparent electrodes replacing the indium-tin-oxide (ITO) commonly used in optoelectronic devices. By repeatedly spin coating Ag NW on a glass substrate followed by the coating of ZnO nanoparticles, we obtained a highly conductive transparent electrode reaching a sheet resistance of 95 Ω/□. The transmittance of the Ag NW-ZnO films was 84% at 450 nm while the transmittance of the ITO films was 90% at the same wavelength. Following the formation of the conductive film, we scratched it using a heated surgical blade to open a gap which is ~30 µm forming an insulating line. As the active layer, we drop-casted red-emitting CdSe/ZnS core-shell colloidal quantum dots (CQDs) onto this gap. These visible CQDbased photodetectors exhibited responsivities and detectivities up to 8.5 mA/W and 0.95x109 Jones, respectively. These proof-of-concept photodetectors show that the environmentally friendly, low-cost, and energy-saving technique presented here can be an alternative to conventional, high-cost, and energy-hungry techniques while fabricating light-harvesting devicesen_US
dc.description.abstractOptoelektronik cihazların üretimi, kimyasal buhar kaplama, litografi ve metal buharlaştırma dahil olmak üzere pahalı, enerji tüketen geleneksel araçlara dayanır. Alternatif bir teknolojinin geliştirilmesi, sürdürülebilir bir optoelektronik teknolojisine ulaşma çabalarına katkıda bulunacaktır. Bunu odak noktamızda tutarak, burada görünür fotodedektörleri imal etmek için basit bir teknik sunuyoruz. Bu tamamen çözelti ile işlenmiş ve şeffaf metal-yarı iletken-metal fotodedektörler, optoelektronik cihazlarda yaygın olarak kullanılan indiyum-kalay oksitin (ITO) yerini alan şeffaf elektrotlar olarak gümüş nanotelleri (Ag NW) kullanmıştır. Bir cam substrat üzerinde Ag NW'leri tekrar tekrar döndürerek kaplamayı takiben ZnO nanoparçacıklarının kaplanmasıyla, 95 Ω/□'lik bir tabaka direncine ulaşan oldukça iletken şeffaf bir elektrot elde edilmiştir. Ag NW-ZnO filmlerinin geçirgenliği 450 nm'de %84 iken, aynı dalga boyunda ITO filmlerinin geçirgenliği %90 olmuştur. İletken filmin oluşumunu takiben, bir yalıtım hattı oluşturan ~30 µm'lik bir boşluk açmak için ısıtılmış bir cerrahi bıçak kullanarak film çizilmiştir. Aktif katman olarak, bu boşluğa kırmızı yayan CdSe/ZnS çekirdekkabuk kolloidal kuantum noktalarını (KKN'ler) damlatılmıştır. Bu görünür KKN tabanlı fotodedektörler, sırasıyla 8.5 mA/W ve 0.95x109 Jones'a kadar duyarlılık ve algılama sergilemiştir. Bu kavram kanıtı fotodedektörler, burada sunulan çevre dostu, düşük maliyetli ve enerji tasarruflu tekniğin, ışık hasat eden cihazları üretirken geleneksel, yüksek maliyetli ve çok enerji tüketen tekniklere bir alternatif olabileceğini göstermektedir.en_US
dc.description.tableofcontentsTABLE OF CONTENTS 1. INTRODUCTION .................................................................................................... 1 2. PHOTODETECTORS ...............................................................................................................4 2.1 THE P-N JUNCTION PHOTODIODES............................................................................. 5 2.2 THE PIN PHOTODIODES ............................................................................................. 7 2.3 AVALANCHE PHOTODIDES........................................................................................ 8 2.4 SCHOTTKHY JUNCTION PHOTODIODES.................................................................... 10 2.5 COLLOIDAL QUANTUM DOT PHOTODIODES............................................................. 12 3. SILVER NANOWIRES (AG NW) ......................................................................................15 3.1 SILVER NANOWIRES AS TRANSPARENT ELECTRODES .............................................. 15 3.2 SYNTHESIS TECHNIQUES ........................................................................................ 16 3.2.1 Synthesis of Ag NW........................................................................................ 17 3.3 ELECTRICAL PROPERTIES OF AG NW THIN FILMS..................................................... 18 3.4 OPTICAL PROPERTIES OF AG NW THIN FILMS .......................................................... 20 4. ZINC OXIDE NANOPARTICLES (ZNO NP)...............................................................22 4.1 ZINC OXIDE NANOPARTICLES AS ADDITIVES FOR TRANSPARENT AND CONDUCTIVE AG NW FILM ................................................................................................................. 22 4.2 SYNTHESIS TECHNIQUES ........................................................................................ 22 4.2.1 Synthesis of ZnO NP and integration with Ag NW films............................... 23 4.3 OPTICAL PROPERTIES OF ZNO NP.......................................................................... 24 4.4 ELECTRICAL PROPERTIES OF ZNO NP.................................................................... 26 5. COLLOIDAL QUANTUM DOTS (CQDS).....................................................................28 5.1 COLLOIDAL QUANTUM DOTS FOR PHOTODETECTORS ............................................. 22 5.2 SYNTHESIS TECHNIQUES ........................................................................................ 32 5.2.1 Synthesis of CdSe/ZnS core/shell CQDs........................................................ 33 5.3 OPTICAL PROPERTIES OF THE CQDS ...................................................................... 34 6. FABRICATION OF SOLUTION PROCESSED CQD PHOTODETECTORS ............................................................................................................................................................35 6.1 SAMPLE FABRICATION ........................................................................................... 35 6.2 CHARACTERIZATION .............................................................................................. 38 6.3 RESULTS AND DISCUSSION..................................................................................... 39 7. CONCLUSIONS AND FUTURE PROSPECTS............................................................42 7.1 CONCLUSIONS ........................................................................................................ 42 7.2 SOCIETAL IMPACT AND CONTRIBUTION TO GLOBAL SUSTAINABILITY................... 43 7.3 FUTURE PROSPECTS ............................................................................................... 44en_US
dc.language.isoengen_US
dc.publisherAbdullah Gül Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsüen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectcolloidal quantum dot photodetectorsen_US
dc.subjectzinc oxide nanoparticlesen_US
dc.subjectsilver nanowiresen_US
dc.subjectsustainable fabricationen_US
dc.subjectsustainable optoelectronicsen_US
dc.titleFabrication and novel applications of light-absorbing optoelectronic devicesen_US
dc.title.alternativeIŞIK EMİCİ OPTOELEKTRONİK CİHAZLARIN ÜRETİMİ VE YENİ UYGULAMALARIen_US
dc.typemasterThesisen_US
dc.contributor.departmentAGÜ, Fen Bilimleri Enstitüsü, Elektrik ve Bilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalıen_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US


Bu öğenin dosyaları:

Thumbnail

Bu öğe aşağıdaki koleksiyon(lar)da görünmektedir.

Basit öğe kaydını göster